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GDT

產(chǎn)品概述

陶瓷氣體放電管，GDT。全系列產(chǎn)品都有，目前正在開(kāi)發(fā)超薄型產(chǎn)品。

產(chǎn)品特點(diǎn)

GDT

GDT“陶瓷氣體放電管”是一種陶瓷封裝的、內(nèi)充低壓惰性氣體的短路型保護(hù)器件，一般分二電極和三電極兩種結(jié)構(gòu)。基本的工作原理是氣體放電。當(dāng)極間的電場(chǎng)強(qiáng)度超過(guò)氣體的擊穿強(qiáng)度時(shí)，就引起間隙放電，從而限制了極間的電壓，使與放電管并聯(lián)的其它器件得到保護(hù)。

電路應(yīng)用

AC Power DC Power

RJ45-1G

應(yīng)用領(lǐng)域

SPD

FSU

LED Power Supply

RRU

產(chǎn)品選型

GDT：2R-SMD兩腳貼片信號(hào)管（部分型號(hào)羅列）

2R-SMD型號(hào)	直流擊穿電壓100V/s（V）	100V/s電壓范圍（V）	脈沖擊穿電壓1kV/μs（99%）（V）	脈沖擊穿電壓1kV/μs（V）	脈沖耐流8/20μs,In（kA）	弧光電壓Va @1A（V）	絕緣電阻(GΩ)	靜電容量0.5VDC@1 MHz(pF)	Download
WG2921-075P	75	53-117	≤650	≤600	1	～8	≥1(DC=100V)	≤0.5
WG2921-091P	90	63-117	≤650	≤600	1	～10	≥1(DC=100V)	≤0.5
WG2921-151P	150	105-195	≤700	≤650	1	～10	≥1(DC=100V)	≤0.5
WG2921-201P	200	140-260	≤750	≤700	1	～10	≥1(DC=100V)	≤0.5
WG2921-301P	300	210-390	≤800	≤750	1	～10	≥1(DC=100V)	≤0.5
WG2921-401P	400	280-520	≤1000	≤950	1	～10	≥1(DC=100V)	≤0.5
WG4532-091P	90	63-117	≤650	≤550	2	～8	≥1(DC=50V)	≤0.5
WG4532-091HP	90	63-117	≤650	≤550	3	～10	≥1(DC=50V)	≤0.5
WG8360-091P	90	72-108	≤600	≤550	20	～8	≥1(DC=50V)	≤1.5
WG8360-601P	600	480-720	≤950	≤900	20	～15	≥1(DC=100V)	≤1.5
WG8360-801P	800	640-960	≤1200	≤1150	20	～15	≥1(DC=100V)	≤1.5

GDT：2R-DIP兩腳插件電源管（部分型號(hào)羅列）

2R-DIP型號(hào)

直流擊穿電壓100V/s（V）

100V/s電壓范圍（V）

脈沖擊穿電壓1kV/μs（99%）（V）

脈沖擊穿電壓1kV/μs（V）

脈沖耐流8/20μs,In（kA）

最大脈沖耐流8/20μs,Imax（kA）

脈沖耐流10/350μs,Iimp（kA）

弧光電壓Va @1A（V）

遮斷續(xù)流能力Ifi（A）

絕緣電阻(GΩ)

靜電容量0.5VDC@1 MHz(pF)

尺寸L*W*H(mm)

應(yīng)用

Download

WG1206-351R

350

280-420

≤1000

～15

不適用

≥1(DC=100V)

≤5

φ12×6

Power

WG1503-151R

150

120-180

≤750

～15

不適用

≥1(DC=100V)

≤10

φ15×3.0

Power

WG1645-601R

600

480-720

≤1400

～15

100Arms@Uc

≥1(DC=100V)

≤7

φ16×4.5

Power

WG3012-601R

600

480-720

≤1400

100

～15

100Arms@Uc

≥1(DC=100V)

≤10

φ29.5×12

Power

WG3030-601R

600

480-720

≤1300

100

200

100

～15

100Arms@Uc

≥1(DC=100V)

≤7

φ29.5×29.5

Power

GDT：3R-SMD/DIP三腳貼片/插件管（部分型號(hào)羅列）

3R型號(hào)	直流擊穿電壓100V/s（V）	100V/s電壓范圍（V）	脈沖擊穿電壓1kV/μs（99%）（V）	脈沖擊穿電壓1kV/μs（V）	脈沖耐流8/20μs,In（kA）	弧光電壓Va @1A（V）	絕緣電阻(GΩ)	靜電容量0.5VDC@1 MHz(pF)	*尺寸LWH(mm)*	應(yīng)用	Download
WG3R0578-091P	90	68-112	≤700	≤600	10	～8	≥1(DC=50V)	≤1.5	7.8×5.0×6.0	RS485/232/422
WG3R0576-091R	90	63-117	/	≤700	5	～15	≥1(DC=100V)	≤1.5	φ5.0×7.6	xDSL
WG3R0810-091R	90	67-112	/	≤650	20	～15	≥1(DC=100V)	≤1.5	Φ8.0×10	xDSL

GDT：M-GDT多間隙貼片/插件管（部分型號(hào)羅列）

多間隙型號(hào)	直流擊穿電壓100V/s（V）	100V/s電壓范圍（V）	脈沖擊穿電壓1kV/μs（V）	脈沖耐流8/20μs,In（kA）	最大脈沖耐流8/20μs,Imax（kA）	脈沖耐流10/350μs,Iimp（kA）	絕緣電阻(GΩ)	靜電容量0.5VDC@1 MHz(pF)	*尺寸LWH(mm)*	應(yīng)用	Download
WG10M5-122R	1200	420-1100	≤2200	20	40	4	≥1(DC=100V)	≤1.5	8.3×8.3×16.5	Power

沃爾德肖特基二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低正向壓降的特點(diǎn)。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。

沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時(shí)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。

沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級(jí)整流電路。

沃爾德共陰共陽(yáng)快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。

沃爾德肖特基二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低正向壓降的特點(diǎn)。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。

沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時(shí)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。

沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級(jí)整流電路。

沃爾德共陰共陽(yáng)快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。

沃爾德肖特基二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，具有低正向壓降的特點(diǎn)。電流涵蓋了1A到60A，電壓從40V到200V全覆蓋，可以滿足電源產(chǎn)品的高效率，高可靠性的需求。

沃爾德快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)的封裝工藝，電壓從100V到1700V，電流從1A到300A,反向恢復(fù)時(shí)間從16ns到500ns ,適用于PFC電路，高頻高壓電源等。

沃爾德LOW VF快恢復(fù)二極管具有低的VF值、低漏電流，應(yīng)用于PFC電路、高頻高壓電路、次級(jí)整流電路。

沃爾德共陰共陽(yáng)快恢復(fù)二極管具有一致性好，低VF值、低Trr、低漏電流的特性，應(yīng)用于高頻橋式整流電路，正負(fù)壓輸出整流電路、高頻高壓大電流電路。